Calculadora en línea gratuita

Resistencia de base de un BJT

Abrir la calculadora

Ejemplo Ib = 10 mA con una beta forzada de 10 → Rb = 410 Ω, E24 más cercano 430 Ω (que en realidad deja pasar 9.535 mA) — Rb disipa 39.09 mW, así que 1/8 W es suficiente.

Ejemplo Saturado con holgura: sobreexcitación de 9.535× sobre una hFE de 100 (beta forzada 10.49). Q1 cae entonces 200 mV y disipa 20 mW, dejando 11.8 V en la carga.

Un transistor usado como interruptor no es un amplificador — desperdicias su ganancia a propósito. El error es dividir la corriente de carga por la hFE de la hoja de datos: eso da la corriente de base mínima que puede soportar la carga, deja el componente justo en el límite de la saturación, y ahí Vce es de voltios en lugar de milivoltios y el transistor se calienta en exceso. En su lugar, fuerza la beta a la baja — trabaja con una ganancia igual a hFE dividida por un factor de sobreexcitación k (5–10 es lo normal) y dimensiona la resistencia de base para eso: $I_B=\frac{k\times I_C}{h_{\mathrm{FE}}}$, luego $R_B=\frac{V_{\mathrm{control}}-V_{\mathrm{BEsat}}}{I_B}$.

Aquí Vbe tampoco es 0.7 V. Un BJT de pequeña señal saturado se queda en 0.85–1.0 V, y usar el conocido 0.7 hace que Rb salga demasiado grande — justo la dirección que te devuelve sin avisar la saturación que buscabas.