حاسبة مجانية على الإنترنت

حاسبة مقاومة قاعدة BJT

افتح الحاسبة

مثال Ib = 10 mA عند بيتا مفروضة قدرها 10 → Rb = 410 Ω، أقرب قيمة E24 هي 430 Ω (التي تمرر فعلياً 9.535 mA) — تبدد Rb قدرة 39.09 mW، لذا تكفي 1/8 W.

مثال في إشباع مريح: إفراط في القيادة 9.535× على hFE قدره 100 (بيتا مفروضة 10.49). عندها يُسقط Q1 جهد 200 mV ويبدد 20 mW، تاركاً 11.8 V على الحمل.

الترانزستور المستخدم كمفتاح ليس مضخِّماً — أنت تتخلى عن كسبه عمداً. الخطأ هو قسمة تيار الحمل على hFE من ورقة البيانات: هذا يعطي أقل تيار قاعدة يمكنه حمل الحمل، ويضع القطعة على حافة الإشباع تماماً، وهناك يكون Vce بالفولتات بدلاً من الميلي فولتات ويسخن الترانزستور بشدة. بدلاً من ذلك اخفض بيتا قسراً — شغّله بكسب يساوي hFE مقسوماً على معامل إفراط في القيادة k (من 5 إلى 10 أمر عادي) واحسب مقاومة القاعدة على هذا الأساس: $I_B=\frac{k\times I_C}{h_{\mathrm{FE}}}$، ثم $R_B=\frac{V_{\mathrm{قيادة}}-V_{\mathrm{BEsat}}}{I_B}$.

وVbe ليس 0.7 V هنا أيضاً. ترانزستور BJT صغير الإشارة في الإشباع يكون عند 0.85–1.0 V، واستخدام القيمة المألوفة 0.7 يجعل Rb أكبر من اللازم — وهو الاتجاه الوحيد الذي يُضيّع بصمت الإشباع الذي كنت تسعى إليه.