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Resistor de base do BJT

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Exemplo Ib = 10 mA com beta forçado de 10 → Rb = 410 Ω, E24 mais próximo 430 Ω (que de fato passa 9.535 mA) — Rb dissipa 39.09 mW, então 1/8 W é suficiente.

Exemplo Bem saturado: sobreexcitação de 9.535× sobre um hFE de 100 (beta forçado 10.49). Q1 então tem queda de 200 mV e dissipa 20 mW, deixando 11.8 V sobre a carga.

Um transistor usado como chave não é um amplificador — você descarta o ganho de propósito. O erro é dividir a corrente de carga pelo hFE do datasheet: isso dá a menor corrente de base capaz de conduzir a carga, ela deixa o componente bem no limite da saturação, e ali Vce é de volts em vez de milivolts e o transistor cozinha. Em vez disso, force o beta para baixo — opere com um ganho igual ao hFE dividido por um fator de sobreexcitação k (5–10 é o normal) e dimensione o resistor de base para isso: $I_B=\frac{k\times I_C}{h_{\mathrm{FE}}}$, depois $R_B=\frac{V_{\mathrm{acionamento}}-V_{\mathrm{BEsat}}}{I_B}$.

Vbe também não é 0.7 V aqui. Um BJT de pequeno sinal saturado fica em 0.85–1.0 V, e usar o conhecido 0.7 faz Rb sair grande demais — justamente a direção que devolve, sem alarde, a saturação que você estava comprando.