मुफ़्त ऑनलाइन कैलकुलेटर

BJT बेस रेज़िस्टर कैलकुलेटर

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उदाहरण फ़ोर्स्ड बीटा 10 पर Ib = 10 mA → Rb = 410 Ω, सबसे नज़दीकी E24 430 Ω (जो असल में 9.535 mA देता है) — Rb में 39.09 mW खर्च होते हैं, इसलिए 1/8 W काफ़ी है।

उदाहरण आराम से सैचुरेटेड: 100 के hFE पर 9.535× ओवरड्राइव (फ़ोर्स्ड बीटा 10.49)। तब Q1 पर 200 mV गिरता है और 20 mW डिसिपेट होता है, लोड पर 11.8 V बचते हैं।

स्विच की तरह इस्तेमाल हुआ ट्रांजिस्टर एम्प्लीफ़ायर नहीं है — आप जानबूझकर उसका गेन छोड़ देते हैं। गलती यह है कि लोड करंट को डेटाशीट के hFE से भाग दिया जाए: इससे वह न्यूनतम बेस करंट मिलता है जो लोड को उठा सकता है, यह पार्ट को सैचुरेशन के ठीक किनारे पर ले आता है, और वहाँ Vce मिलीवोल्ट की जगह वोल्ट में होता है और ट्रांजिस्टर गर्म होकर जल जाता है। इसके बजाय बीटा को ज़बरदस्ती कम करें — hFE को ओवरड्राइव फ़ैक्टर k (5–10 सामान्य है) से भाग देकर मिले गेन पर चलाएँ और बेस रेज़िस्टर उसी के लिए चुनें: $I_B=\frac{k\times I_C}{h_{\mathrm{FE}}}$, फिर $R_B=\frac{V_{\mathrm{ड्राइव}}-V_{\mathrm{BEsat}}}{I_B}$.

यहाँ Vbe भी 0.7 V नहीं है। सैचुरेटेड छोटा-सिग्नल BJT 0.85–1.0 V पर रहता है, और जाना-पहचाना 0.7 लेने से Rb बहुत बड़ा निकलता है — यही वह दिशा है जो चुपचाप वह सैचुरेशन वापस छीन लेती है जो आप पाना चाहते थे।